FDS4559_F085中文资料参数规格
技术参数
通道数 2
极性 N+P
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 4.5A/3.5A
输入电容Ciss 650pF @25VVds
额定功率Max 2 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
外形尺寸
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.575 mm
封装 SOIC-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买FDS4559_F085
型号： FDS4559_F085
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FDS4559 系列 60 V 55 mOhm 互补 PowerTrench MOSFET - SOIC-8
替代型号FDS4559_F085
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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