UltraFET® MOSFET，Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
UltraFET® MOSFET， Semiconductor
UItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量，且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS（接通）、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。
应用：高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。
欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMC15N06, 15 A, Vds=55 V, 8引脚 Power 33封装
得捷:
MOSFET N-CH 55V 2.4A/15A 8MLP
贸泽:
MOSFET UltraFET 55V, 15A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 2.4A 8-Pin Power 33 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 2.4A 8-Pin Power 33 T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 55V 2.4A MLP
通道数 1
漏源极电阻 75 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 35 W
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 2.4A
上升时间 36.5 ns
输入电容Ciss 350pF @25VVds
额定功率Max 2.3 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.3W Ta, 35W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-33-8
长度 3.3 mm
宽度 3.3 mm
高度 0.5 mm
封装 Power-33-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free