FQB6N60CTM

FQB6N60CTM图片1
FQB6N60CTM图片2
FQB6N60CTM图片3
FQB6N60CTM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 600 V

额定电流 6.00 A

漏源极电阻 1.70 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125W Tc

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 5.50 A

输入电容Ciss 810pF @25VVds

额定功率Max 125 W

耗散功率Max 125W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQB6N60CTM
型号: FQB6N60CTM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 600V 5.5A 3Pin2+Tab D2PAK T/R

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台