FDS8672S

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FDS8672S中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 0.0038 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 2.1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 18A

上升时间 4 ns

输入电容Ciss 2670pF @15VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 3 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买FDS8672S
型号: FDS8672S
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDS8672S  晶体管, MOSFET, N沟道, 18 A, 30 V, 0.0038 ohm, 10 V, 2.1 V
替代型号FDS8672S
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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