UniFET™ N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorUniFET™ MOSFET 是 Fairchild Semiconductor 的高电压 MOSFET 系列。 它平面 MOSFET 中具有最小通态电阻,还提供卓越的切换性能和较高雪崩能量强度。 此外,内部栅极-源极 ESD 二极管让 UniFET-II™ MOSFET 可以耐受超过 2000V HBM 浪涌应力。 UniFET™ MOSFET 适用于开关电源转换器应用,如功率因数校正 PFC、平板显示屏 FPD 电视电源、ATX(先进技术扩展)和电子灯镇流器。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
Description
UniFET™ II MOSFET is Semiconductor®’s high voltage MOSFET family based on advanced planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET family has the smallest on-state resistance among the planar MOSFET, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, internal gate-source ESD diode allows UniFET II MOSFET to withstand over 2kV HBM surge stress. This device family is suitable for switching power converter applications such as power factor correction PFC, flat panel display FPD TV power, ATX and electronic lamp ballasts.
Features
• RDSon = 1.38 Typ. @ VGS = 10 V, ID = 2 A
• Low Gate Charge Typ. 9 nC
• Low Crss Typ. 4 pF
• 100% Avalanche Tested
• Improved dv/dt Capability
• ESD Imoroved Capability
• RoHS Compliant
Applications
• LCD/LED/PDP TV
• Lighting
• Uninterruptible Power Supply
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 62 W
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 4A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 440pF @25VVds
额定功率Max 62 W
下降时间 21 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 62W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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FDD5N50NZTM Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
SPD03N50C3 英飞凌 | 功能相似 | FDD5N50NZTM和SPD03N50C3的区别 |
SIHD5N50D-GE3 威世 | 功能相似 | FDD5N50NZTM和SIHD5N50D-GE3的区别 |
AOD5N50 万代半导体 | 功能相似 | FDD5N50NZTM和AOD5N50的区别 |