QFET® N 通道 MOSFET，高达 5.9A，Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能，包括电源、PFC（功率因数校正）、直流－直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗，并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术，Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel 800 V 3.9A Tc 3.13W Ta, 130W Tc Through Hole I2PAK TO-262
得捷:
MOSFET N-CH 800V 3.9A I2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
富昌:
FQI4N80 系列 800 V 3.6 Ohm 通孔 N沟道 Mosfet - I2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 3.9A 3-Pin3+Tab I2PAK Rail
额定电压DC 800 V
额定电流 3.90 A
漏源极电阻 2.80 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 3.90 A
输入电容Ciss 880pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 130W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
长度 9.9 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.2 mm
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQI4N80TU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |