额定电压DC 200 V
额定电流 28.0 A
漏源极电阻 82.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 50 W
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 28.0 A
上升时间 270 ns
输入电容Ciss 2220pF @25VVds
额定功率Max 50 W
下降时间 210 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 50W Tc
安装方式 Through Hole
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQPF32N20C Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STD18N55M5 意法半导体 | 功能相似 | FQPF32N20C和STD18N55M5的区别 |
STD6N95K5 意法半导体 | 功能相似 | FQPF32N20C和STD6N95K5的区别 |
FQP33N10 安森美 | 功能相似 | FQPF32N20C和FQP33N10的区别 |