FDS6570A

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FDS6570A中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 20.0 V

额定电流 15.0 A

漏源极电阻 0.0075 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 900 mV

输入电容 4.70 nF

栅电荷 47.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±8.00 V

连续漏极电流Ids 15.0 A

上升时间 27.0 ns

输入电容Ciss 4700pF @10VVds

额定功率Max 1 W

工作温度Max 150 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS6570A
型号: FDS6570A
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:单N沟道2.5V指定的PowerTrench MOSFET Single N-Channel 2.5V Specified PowerTrench MOSFET
替代型号FDS6570A
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDS6570A

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

SI4876DY-T1-E3

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