PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A, Semiconductor
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS7672, 80 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
贸泽:
MOSFET 30V 28A N-Channel PowerTrench
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin Power 56 T/R
富昌:
FDMS7672 系列 30 V 5.0 mOhm N 沟道 Power Trench Mosfet - Power 56
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 19A 8-Pin Power 56 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 19A 8-Pin Power 56 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 19A POWER56
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 19A POWER56
通道数 1
漏源极电阻 5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 19A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 2960pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 48W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56-8
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FDMS7672 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDS7066ASN3 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDMS7672和FDS7066ASN3的区别 |
FDS7064SN3 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDMS7672和FDS7064SN3的区别 |
FDS7066SN3 飞兆/仙童 | 功能相似 | FDMS7672和FDS7066SN3的区别 |