FQPF6N80CT

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FQPF6N80CT中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 2.50 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 51W Tc

漏源极电压Vds 800 V

漏源击穿电压 800 V

连续漏极电流Ids 5.50 A

输入电容Ciss 1310pF @25VVds

额定功率Max 51 W

耗散功率Max 51W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF6N80CT
型号: FQPF6N80CT
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 800V 5.5A 3Pin3+Tab TO-220F Rail

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