PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel 100V 9A Ta, 61A Tc 150W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 9
欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET 100V 61a 0.016 Ohm
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
富昌:
FDP3652 系列 100 V 16 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet - TO-220AB
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 9A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 9A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDP3652 MOSFET Transistor, N Channel, 61 A, 100 V, 0.014 ohm, 10 V, 4 V
Win Source:
N-Channel PowerTrench MOSFET 100V, 61A, 16mOhm
DeviceMart:
N-Channel PowerTrench MOSFET, Vdss 100V, Rdson 16m Ohm, Id 61A, TO-220AB
额定电压DC 100 V
额定电流 61.0 A
通道数 1
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 4 V
输入电容 2.88 nF
栅电荷 41.0 nC
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 61.0 A
上升时间 85 ns
输入电容Ciss 2880pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
FDP3652 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
HUFA75645P3 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDP3652和HUFA75645P3的区别 |
STP80NF10 意法半导体 | 功能相似 | FDP3652和STP80NF10的区别 |
STP80NF12 意法半导体 | 功能相似 | FDP3652和STP80NF12的区别 |