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FDS86141概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

The is a N-channel MOSFET produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench™ process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.

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Low-profile
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100% UIL tested
FDS86141中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 5 W

阈值电压 3.1 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 7A

上升时间 3.2 ns

输入电容Ciss 934pF @50VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 3.2 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4 mm

宽度 5 mm

高度 1.5 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

FDS86141引脚图与封装图
FDS86141引脚图
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型号: FDS86141
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,高达 9.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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