FDMC8554

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FDMC8554中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 3.60 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2 W

输入电容 3.38 nF

栅电荷 62.0 nC

漏源极电压Vds 20 V

漏源击穿电压 20.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 16.5 A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 3380pF @10VVds

额定功率Max 2 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2W Ta, 41W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 3 mm

高度 0.95 mm

封装 Power-33-8

物理参数

材质 Silicon

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDMC8554
型号: FDMC8554
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,超过 60A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDMC8554
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDMC8554

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

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