FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD10AN06A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4 V
PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A, Semiconductor
欧时:
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD10AN06A0, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
FDD10AN06A0 系列 60 V 10.5 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252AA
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD10AN06A0 MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
额定电压DC 60.0 V
额定电流 50.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.0094 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 135 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.84 nF
栅电荷 28.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 -60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 79 ns
输入电容Ciss 1840pF @25VVds
额定功率Max 135 W
下降时间 32 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 135 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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