FDD10AN06A0

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FDD10AN06A0概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD10AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4 V

PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A, Semiconductor


欧时:
Fairchild Semiconductor PowerTrench 系列 Si N沟道 MOSFET FDD10AN06A0, 50 A, Vds=60 V, 3引脚 DPAK TO-252封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


富昌:
FDD10AN06A0 系列 60 V 10.5 mOhm N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-252AA


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 11A 3-Pin2+Tab TO-252AA T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 135W; DPAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 11A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD10AN06A0  MOSFET Transistor, N Channel, 50 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4 V


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK


DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK


FDD10AN06A0中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 60.0 V

额定电流 50.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.0094 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 135 W

阈值电压 4 V

输入电容 1.84 nF

栅电荷 28.0 nC

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 -60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 50.0 A

上升时间 79 ns

输入电容Ciss 1840pF @25VVds

额定功率Max 135 W

下降时间 32 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 135 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDD10AN06A0
型号: FDD10AN06A0
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDD10AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 60 V, 0.0094 ohm, 10 V, 4 V
替代型号FDD10AN06A0
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDD10AN06A0

Fairchild 飞兆/仙童

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