FCPF190N60_F152

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FCPF190N60_F152中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 199 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 39 W

阈值电压 3.5 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 20.2A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 2950pF @25VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 39W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 4.7 mm

高度 16.3 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FCPF190N60_F152
型号: FCPF190N60_F152
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3Pin TO-220F Tube

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