FQB9P25TM

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FQB9P25TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -250 V

额定电流 -9.40 A

漏源极电阻 620 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 3.13 W

漏源极电压Vds 250 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 9.40 A

上升时间 150 ns

输入电容Ciss 1180pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

下降时间 65 ns

耗散功率Max 3.13W Ta, 120W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQB9P25TM
型号: FQB9P25TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET P-CH 250V 9.4A 3Pin2+Tab D2PAK T/R
替代型号FQB9P25TM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQB9P25TM

Fairchild 飞兆/仙童

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