20V N" P沟道PowerTrench MOSFET 20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET
Mosfet Array N and P-Channel 20V 3.6A, 2.6A 800mW Surface Mount SuperSOT™-8
立创商城:
1个N沟道和1个P沟道 20V 3.6A 2.6A
得捷:
SMALL SIGNAL P-CHANNEL MOSFET
艾睿:
Trans MOSFET N/P-CH 20V 3.6A/2.6A 8-Pin SuperSOT T/R
Win Source:
20V N & P-Channel PowerTrench MOSFET
额定电流 3.60 A
漏源极电阻 38.0 mΩ
极性 N-Channel, P-Channel
耗散功率 800 mW
输入电容 607 pF
栅电荷 8.00 nC
漏源极电压Vds 20 V
漏源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 2.60 A
上升时间 11.0 ns
输入电容Ciss 650pF @10VVds
额定功率Max 800 mW
安装方式 Surface Mount
封装 SSOT-8
封装 SSOT-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free