FQI13N50CTU

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FQI13N50CTU概述

Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3Pin3+Tab I2PAK Rail

Description

This N-Channel enhancement mode power MOSFET is produced using Semiconductor’s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce on-state resistance, and to provide superior switching performance and high avalanche energy strength. These devices are suitable for switched mode power supplies,

active power factor correction PFC, and electronic lamp ballasts.

Features

• 13 A, 500 V, RDSon= 480 mΩMax. @VGS= 10 V, ID= 6.5 A

• Low Gate Charge Typ. 43 nC

• Low Crss Typ. 20 pF

• 100% Avalanche Tested

• RoHS Compliant

FQI13N50CTU中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 13.0 A

漏源极电阻 390 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 195 W

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 13.0 A

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 2055pF @25VVds

额定功率Max 195 W

下降时间 100 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 195W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQI13N50CTU
型号: FQI13N50CTU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Trans MOSFET N-CH 500V 13A 3Pin3+Tab I2PAK Rail

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