FQP8N90C概述
900V N沟道MOSFET 900V N-Channel MOSFET
N-Channel 900V 6.3A Tc 171W Tc Through Hole TO-220-3
得捷:
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO220-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin3+Tab TO-220AB Rail
Verical:
Trans MOSFET N-CH 900V 6.3A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 900V 6.3A TO-220
FQP8N90C中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 900 V
额定电流 6.30 A
通道数 1
漏源极电阻 1.90 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 171 W
漏源极电压Vds 900 V
漏源击穿电压 900 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 6.00 A
上升时间 110 ns
输入电容Ciss 2080pF @25VVds
额定功率Max 171 W
下降时间 70 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 171W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
宽度 4.7 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FQP8N90C