FQP46N15参数规格_中文资料_数据手册PDF

FQP46N15概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP46N15 晶体管, MOSFET, N沟道, 45.6 A, 150 V, 33 mohm, 10 V, 4 V

The is a QFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, audio amplifier and variable switching power applications.

.: 100% Avalanche tested

.: 85nC Typical low gate charge

.: 100pF Typical low Crss

FQP46N15中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 45.6 A

针脚数 3

漏源极电阻 33 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 210 W

阈值电压 4 V

输入电容 2.50 nF

栅电荷 85.0 nC

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±25.0 V

连续漏极电流Ids 45.6 A

上升时间 320 ns

输入电容Ciss 3250pF @25VVds

额定功率Max 210 W

下降时间 200 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 210W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.1 mm

宽度 4.7 mm

高度 9.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQP46N15

型号： FQP46N15

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FQP46N15 晶体管, MOSFET, N沟道, 45.6 A, 150 V, 33 mohm, 10 V, 4 V

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替代型号FQP46N15

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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