FQB12P20TM

FQB12P20TM图片1
FQB12P20TM图片2
FQB12P20TM图片3
FQB12P20TM图片4
FQB12P20TM图片5
FQB12P20TM图片6
FQB12P20TM图片7
FQB12P20TM图片8
FQB12P20TM图片9
FQB12P20TM图片10
FQB12P20TM图片11
FQB12P20TM图片12
FQB12P20TM图片13
FQB12P20TM图片14
FQB12P20TM图片15
FQB12P20TM图片16
FQB12P20TM图片17
FQB12P20TM图片18
FQB12P20TM中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -200 V

额定电流 -11.5 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 470 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 3.13 W

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 200 V

漏源击穿电压 200 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 11.5 mA

上升时间 195 ns

输入电容Ciss 1200pF @25VVds

额定功率Max 3.13 W

下降时间 60 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.13W Ta, 120W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQB12P20TM
型号: FQB12P20TM
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQB12P20TM  场效应管, MOSFET, P沟道, -200V, 11.5mA
替代型号FQB12P20TM
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FQB12P20TM

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

IRF9640SPBF

威世

功能相似

FQB12P20TM和IRF9640SPBF的区别

IRF9640STRLPBF

威世

功能相似

FQB12P20TM和IRF9640STRLPBF的区别

NTE2373

NTE Electronics

功能相似

FQB12P20TM和NTE2373的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台