FDPF10N60NZ中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.64 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 38 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 10A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 1475pF @25VVds
额定功率Max 38 W
下降时间 50 nS
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 38W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.9 mm
高度 16.07 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
在线购买FDPF10N60NZ
型号： FDPF10N60NZ
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDPF10N60NZ 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 10 A, 600 V, 0.64 ohm, 0.64 V, 5 V 新