FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDD16AN08A0 晶体管, MOSFET, N沟道, 50 A, 75 V, 13 mohm, 10 V, 4 V
PowerTrench® N 通道 MOSFET，20A 至 59.9A， Semiconductor
### MOSFET ，Fairchild Semiconductor
Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 <250V 类型。 先进的硅技术提供更小的芯片尺寸，其整合到多种工业标准和耐热增强型封装中。
Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
额定电压DC 75.0 V
额定电流 50.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.013 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 135 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.87 nF
栅电荷 31.0 nC
漏源极电压Vds 75 V
漏源击穿电压 75 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 50.0 A
上升时间 54 ns
输入电容Ciss 1874pF @25VVds
额定功率Max 135 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 135 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.73 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.39 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDD16AN08A0 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD16AN08A0_NF054 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDD16AN08A0和FDD16AN08A0_NF054的区别 |
BUK6211-75C,118 恩智浦 | 功能相似 | FDD16AN08A0和BUK6211-75C,118的区别 |