30V N沟道的PowerTrench MOSFET BGA 30V N-Channel PowerTrench BGA MOSFET
N-Channel 30 V 11A Ta 2.1W Ta Surface Mount 18-BGA 2.5x4
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N沟道 30V 11A
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MOSFET N-CH 30V 11A 18BGA
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MOSFET 30V N-Ch PowerTrench BGA MOSFET
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Trans MOSFET N-CH 30V 11A 18-Pin BGA T/R
额定电压DC 30.0 V
额定电流 11.0 A
通道数 1
漏源极电阻 8.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 2.1 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 11.0 A
上升时间 4 ns
输入电容Ciss 1520pF @15VVds
额定功率Max 2.1 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 2.1W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 WFBGA-18
长度 4 mm
宽度 3.5 mm
高度 0.85 mm
封装 WFBGA-18
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99