UltraFET® MOSFET,Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel 200V 2.2A Ta, 9.5A Tc 2.1W Ta, 42W Tc Surface Mount 8-MLP 3.3x3.3
得捷:
N-CHANNEL ULTRAFET TRENCH MOSFET
欧时:
### UltraFET® MOSFET,Fairchild SemiconductorUItraFET® Trench MOSFET 组合了在功率转换应用中实现基准效率的特性。 该设备可耐受雪崩模式中的高能量,且二极管展现出非常短的反向恢复时间和积累电荷。 为高频率时的效率、最低 RDS(接通)、低 ESR 和低总栅极电荷和 Miller 栅极电荷进行了优化。 应用:高频直流-直流转换器、开关调节器、电动机驱动器、低电压总线开关和电源管理。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 2.2A 8-Pin MLP EP T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 200V 2.2A 8-Pin MLP EP T/R
富昌:
FDMC2610 系列 200 V 200 mOhm N沟道 UltraFET Trench Mosfet - Power-33-8
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 2.2A 8-Pin MLP EP T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 200V 2.2A 8-Pin MLP EP T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMC2610 MOSFET Transistor, N Channel, 2.2 A, 200 V, 200 mohm, 10 V, 3.2 V
Win Source:
MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8
DeviceMart:
MOSFET N-CH 200V 2.2A POWER33-8
额定电压DC 220 V
额定电流 9.50 A
漏源极电阻 0.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.1 W
阈值电压 3.2 V
输入电容 960 pF
栅电荷 18.0 nC
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 9.50 A
上升时间 13 ns
输入电容Ciss 960pF @100VVds
额定功率Max 2.1 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.1 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-33-8
长度 3 mm
宽度 3 mm
高度 0.95 mm
封装 Power-33-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99