FDB8896_F085

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FDB8896_F085中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 80 W

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 19A

输入电容Ciss 2525pF @15VVds

额定功率Max 80 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 80W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买FDB8896_F085
型号: FDB8896_F085
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:MOSFET N-CH 30V 19A TO-263AB

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