FDB8896参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDB8896中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 93.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 4.9 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 80 W

阈值电压 2.5 V

输入电容 2.62 nF

栅电荷 48.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 93.0 A

上升时间 102 ns

输入电容Ciss 2525pF @15VVds

额定功率Max 80 W

下降时间 44 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 80W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 1.7 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDB8896

型号： FDB8896

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：N 通道 MOSFET，Fairchild Semiconductor Fairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题，具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。 ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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替代型号FDB8896

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FDB8896 Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FDB6670AL 飞兆/仙童	类似代替	FDB8896和FDB6670AL的区别
IRLR8743PBF 英飞凌	功能相似	FDB8896和IRLR8743PBF的区别
STB80NF03L-04T4 意法半导体	功能相似	FDB8896和STB80NF03L-04T4的区别