FDS7066N3参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDS7066N3中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 23.0 A

漏源极电阻 4.40 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 3W Ta

输入电容 4.97 nF

栅电荷 43.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30.0 V

栅源击穿电压 ±16.0 V

连续漏极电流Ids 23.0 A

上升时间 8.00 ns

输入电容Ciss 4973pF @15VVds

额定功率Max 1.7 W

耗散功率Max 3W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS7066N3

型号： FDS7066N3

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：30V N沟道PowerTrench MOSFET的 30V N-Channel PowerTrench MOSFET

替代型号FDS7066N3