FDMS7570S

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FDMS7570S中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.0016 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 1.7 V

漏源极电压Vds 25 V

连续漏极电流Ids 30A

上升时间 5.9 ns

输入电容Ciss 4515pF @13VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-56

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2013/12/16

数据手册

在线购买FDMS7570S
型号: FDMS7570S
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® SyncFET™ MOSFET,Fairchild Semiconductor 设计用于尽量减少功率转换的损耗,同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术,RDS(接通)极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用:同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
替代型号FDMS7570S
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