PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
N-Channel PowerTrench® MOSFET 60V, 62A, 13.5mΩ
Features
•rDSON= 11.5mΩTyp., VGS = 10V, ID= 62A
•Qgtot = 22nC Typ., VGS = 10V
• Low Miller Charge
•Low QRRBody Diode
• UIS Capability Single Pulse and Repetitive Pulse
• Qualified to AEC Q101
Applications
• Motor / Body Load Control
• ABS Systems
• Powertrain Management
• Injection Systems
• DC-DC converters and Off-line UPS
• Distributed Power Architectures and VRMs
• Primary Switch for 12V and 24V systems
额定电压DC 60.0 V
额定电流 62.0 A
漏源极电阻 0.0135 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 115 W
阈值电压 4 V
输入电容 1.35 nF
栅电荷 22.0 nC
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 62.0 A
上升时间 96.0 ns
输入电容Ciss 1350pF @25VVds
额定功率Max 115 W
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 115W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB13AN06A0 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STP55NF06 意法半导体 | 功能相似 | FDB13AN06A0和STP55NF06的区别 |
STP60NF06 意法半导体 | 功能相似 | FDB13AN06A0和STP60NF06的区别 |
STB55NF06T4 意法半导体 | 功能相似 | FDB13AN06A0和STB55NF06T4的区别 |