漏源极电阻 0.0072 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 208 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 75A
上升时间 322 ns
输入电容Ciss 8225pF @25VVds
额定功率Max 208 W
下降时间 149 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 208W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 16.51 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDP090N10 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STW11NK100Z 意法半导体 | 功能相似 | FDP090N10和STW11NK100Z的区别 |
STD18N55M5 意法半导体 | 功能相似 | FDP090N10和STD18N55M5的区别 |
SPA04N80C3 英飞凌 | 功能相似 | FDP090N10和SPA04N80C3的区别 |