FQAF22P10

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FQAF22P10中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC -100 V

额定电流 -16.6 A

漏源极电阻 125 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 70 W

漏源极电压Vds 100 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 16.6 A

上升时间 170 ns

输入电容Ciss 1500pF @25VVds

下降时间 110 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 70W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 16.2 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQAF22P10
型号: FQAF22P10
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:100V P沟道MOSFET 100V P-Channel MOSFET

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