FDP3672中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 105 V
额定电流 41.0 A
漏源极电阻 25.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 135 W
输入电容 1.67 nF
栅电荷 28.0 nC
漏源极电压Vds 105 V
漏源击穿电压 105 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 41.0 A
上升时间 48 ns
输入电容Ciss 1670pF @25VVds
额定功率Max 135 W
下降时间 27 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 135 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.67 mm
宽度 4.83 mm
高度 9.4 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
在线购买FDP3672
型号： FDP3672
制造商：
Fairchild
飞兆/仙童
描述：PowerTrench® N 通道 MOSFET，高达 9.9A，Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。