N沟道MOSFET QFET® 800 V， 3.9 A， 3.6 I© N-Channel QFET® MOSFET 800 V, 3.9 A, 3.6 Ω
N-Channel 600V 7.4A Tc 3.13W Ta, 142W Tc Through Hole I2PAK TO-262
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 7
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin3+Tab I2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 7.4A 3-Pin3+Tab I2PAK Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 7.4A I2PAK
额定电压DC 600 V
额定电流 7.40 A
漏源极电阻 1.00 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 3.13 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 7.40 A
上升时间 80 ns
输入电容Ciss 1430pF @25VVds
额定功率Max 3.13 W
下降时间 60 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.13W Ta, 142W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
封装 TO-262-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FQI7N60TU Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
STI13NM60N 意法半导体 | 功能相似 | FQI7N60TU和STI13NM60N的区别 |
STB10NK60Z-1 意法半导体 | 功能相似 | FQI7N60TU和STB10NK60Z-1的区别 |
STB11NM60-1 意法半导体 | 功能相似 | FQI7N60TU和STB11NM60-1的区别 |