FDS6679Z参数规格_中文资料_数据手册PDF

FDS6679Z概述

30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET

P-Channel 30V 13A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SOIC

得捷:
MOSFET P-CH 30V 13A 8SOIC

立创商城:
P沟道 30V 13A

贸泽:
MOSFET SO-8

艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 13A 8-Pin SOIC N T/R

Win Source:
30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET

FDS6679Z中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC -30.0 V

额定电流 -13.0 A

通道数 1

漏源极电阻 9 mΩ

极性 P-Channel

耗散功率 2.5 W

输入电容 3.80 nF

栅电荷 67.0 nC

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

连续漏极电流Ids 13.0 A

上升时间 9 ns

输入电容Ciss 3803pF @15VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 54 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

长度 4.9 mm

宽度 3.9 mm

高度 1.75 mm

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS6679Z

型号： FDS6679Z

制造商： Fairchild 飞兆/仙童

描述：30伏P沟道PowerTrench MOSFET 30 Volt P-Channel PowerTrench MOSFET

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替代型号FDS6679Z

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
FDS6679Z Fairchild 飞兆/仙童	当前型号	当前型号
FDS6679AZ 飞兆/仙童	类似代替	FDS6679Z和FDS6679AZ的区别
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