FQAF33N10L

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FQAF33N10L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 25.8 A

通道数 1

漏源极电阻 52 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 83 W

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 25.8 A

上升时间 470 ns

输入电容Ciss 1630pF @25VVds

下降时间 120 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 83W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

长度 16.2 mm

宽度 5 mm

高度 20.1 mm

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQAF33N10L
型号: FQAF33N10L
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFET

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