FDB2552

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FDB2552概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB2552  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 150 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V

N-Channel 150 V 5A Ta, 37A Tc 150W Tc Surface Mount D²PAK TO-263


欧时:
### 汽车 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


贸泽:
MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench


e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB2552  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 150 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


富昌:
FDB2552 系列 150 V 36 mΩ N 沟道 PowerTrench® Mosfet - TO-220AB


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB2552  MOSFET Transistor, N Channel, 37 A, 150 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V


Win Source:
MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB


DeviceMart:
MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB


FDB2552中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 150 V

额定电流 37.0 A

针脚数 3

漏源极电阻 0.032 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 4 V

输入电容 2.80 nF

栅电荷 39.0 nC

漏源极电压Vds 150 V

漏源击穿电压 150 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 37.0 A

上升时间 29 ns

输入电容Ciss 2800pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 29 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 11.33 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDB2552
型号: FDB2552
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB2552  晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 150 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V

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