FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB2552 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 150 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
N-Channel 150 V 5A Ta, 37A Tc 150W Tc Surface Mount D²PAK TO-263
欧时:
### 汽车 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 提供的解决方案可解决汽车市场的复杂难题,具有严谨的质量控制、安全和可靠性标准。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
贸泽:
MOSFET 150V N-Ch UltraFET Trench
e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB2552 晶体管, MOSFET, N沟道, 37 A, 150 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
FDB2552 系列 150 V 36 mΩ N 沟道 PowerTrench® Mosfet - TO-220AB
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 150V 5A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB2552 MOSFET Transistor, N Channel, 37 A, 150 V, 0.032 ohm, 10 V, 4 V
Win Source:
MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB
DeviceMart:
MOSFET N-CH 150V 37A TO-263AB
额定电压DC 150 V
额定电流 37.0 A
针脚数 3
漏源极电阻 0.032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 4 V
输入电容 2.80 nF
栅电荷 39.0 nC
漏源极电压Vds 150 V
漏源击穿电压 150 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 37.0 A
上升时间 29 ns
输入电容Ciss 2800pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 29 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.67 mm
宽度 11.33 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99