FDB070AN06A0

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB070AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 4 V

N-Channel 60 V 15A Ta, 80A Tc 175W Tc Surface Mount D2PAK TO-263

得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1

欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET，超过 60A，Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

贸泽:
MOSFET N-Channel PT 6V 8A 7mOhm

e络盟:
FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB070AN06A0  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 4 V

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

富昌:
FDB070AN06A0 系列 60 V 3.9 Ohms N 沟道 PowerTrench Mosfet TO-263AB

TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 80A; 175W; D2PAK

Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FDB070AN06A0  MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 60 V, 0.0061 ohm, 10 V, 4 V

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB

DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 80A TO-263AB