FGPF4633TU

FGPF4633TU图片1
FGPF4633TU图片2
FGPF4633TU图片3
FGPF4633TU图片4
FGPF4633TU中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 30500 mW

击穿电压集电极-发射极 330 V

额定功率Max 30.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30500 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 16.07 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FGPF4633TU
型号: FGPF4633TU
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:Insulated Gate Bipolar Transistor, 330V VBRCES, N-Channel, TO-220AB, ROHS COMPLIANT, TO-220F, 3Pin

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台