FQPF13N50CF

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FQPF13N50CF概述

FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF13N50CF  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 500 V, 0.43 ohm, 10 V, 4 V

The is a QFET® FRFET® N-channel enhancement-mode Power MOSFET produced using Semiconductor"s proprietary planar stripe and DMOS technology. This advanced MOSFET technology has been especially tailored to reduce ON-state resistance, provide superior switching performance and high avalanche energy strength. It is suitable for switched mode power supplies, active power factor correction PFC and electronic lamp ballasts.

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100% Avalanche tested
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4.3nC Typical low gate charge
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20pF Typical low Crss
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100ns Typical fast recovery body diode
FQPF13N50CF中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 13.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.43 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 48 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 13.0 A

上升时间 100 ns

输入电容Ciss 2055pF @25VVds

额定功率Max 48 W

下降时间 100 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 48W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

宽度 4.7 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FQPF13N50CF
型号: FQPF13N50CF
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:FAIRCHILD SEMICONDUCTOR  FQPF13N50CF  晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 500 V, 0.43 ohm, 10 V, 4 V

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