FQA33N10L

FQA33N10L图片1
FQA33N10L图片2
FQA33N10L图片3
FQA33N10L中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 36.0 A

漏源极电阻 52.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 163W Tc

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 36.0 A

输入电容Ciss 1630pF @25VVds

额定功率Max 163 W

耗散功率Max 163W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-3-3

外形尺寸

封装 TO-3-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FQA33N10L
型号: FQA33N10L
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:LOGIC 100V N沟道MOSFET 100V LOGIC N-Channel MOSFET

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台