FDMC89521L

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FDMC89521L概述

60V,8.2A,双N沟道PowerTrench? MOSFET

* Max r DSon = 17 m Ω at V GS = 10 V, ID = 8.2 A * Max r DSon = 27 m Ω at V GS = 4.5 V, ID = 6.7 A * Termination is Lead-free * RoHS Compliant


欧时:
### PowerTrench® 双 N 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorPowerTrench® MOSFET 是优化的电源开关,可提供高系统效率和功率密度。 它们组合了小栅极电荷 Qg、小反向恢复电荷 Qrr 和软性反向恢复主体二极管,有助于快速切换交流/直流电源中的同步整流。 最新的 PowerTrench® MOSFET 采用屏蔽栅极结构,可提供电荷平衡。 利用这一先进技术,这些设备的 FOM(品质因素)显著低于前一代的 FOM。 PowerTrench® MOSFET 的软性主体二极管性能可无需缓冲电路或替换更高额定电压的 MOSFET。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin Power 33 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin Power 33 T/R


富昌:
60V, 8.2A, 17Mohm RdsOn, 功率33


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 8.2A 8-Pin Power 33 T/R


力源芯城:
60V,8.2A,双N沟道PowerTrench MOSFET


FDMC89521L中文资料参数规格
技术参数

通道数 2

漏源极电阻 17 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 1.9 W

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60 V

连续漏极电流Ids 8.2A

上升时间 2.1 ns

输入电容Ciss 1635pF @30VVds

额定功率Max 800 mW

下降时间 1.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1.9 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-33-8

外形尺寸

长度 3 mm

宽度 3 mm

高度 0.75 mm

封装 Power-33-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMC89521L
型号: FDMC89521L
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:60V,8.2A,双N沟道PowerTrench? MOSFET

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