FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDMS86200 晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 150 V, 0.015 ohm, 10 V, 2.5 V
The is a N-channel MOSFET is produced using Semiconductor"s advanced PowerTrench® process. It has been especially tailored to minimize the ON-state resistance and yet maintain superior switching performance.
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- Shielded gate MOSFET technology
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- Advanced package and silicon combination for low RDS ON and high efficiency
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- MSL1 Robust package design
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- 100% UIL tested
针脚数 8
漏源极电阻 0.015 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 104 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 150 V
连续漏极电流Ids 9.6A
上升时间 7.9 ns
输入电容Ciss 2715pF @75VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 5.8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Ta, 104W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 DualCool-56-8
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 DualCool-56-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDMS86200 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BSC190N15NS3GATMA1 英飞凌 | 功能相似 | FDMS86200和BSC190N15NS3GATMA1的区别 |