FDD86367_F085

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FDD86367_F085中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 8.4 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 227 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80 V

连续漏极电流Ids 100A

上升时间 49 ns

输入电容Ciss 4840pF @40VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 227 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.39 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买FDD86367_F085
型号: FDD86367_F085
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:80V,4.2mΩ,100A,N沟道MOSFET

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