FDU3580概述
N沟道 80V 7.7A
N-Channel 80V 7.7A Ta 3.8W Ta, 42W Tc Through Hole I-PAK
立创商城:
N沟道 80V 7.7A
得捷:
MOSFET N-CH 80V 7.7A IPAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 7.7A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 80V 7.7A I-PAK
FDU3580中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 80.0 V
额定电流 7.70 A
漏源极电阻 29.0 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 3.8W Ta, 42W Tc
输入电容 1.76 nF
栅电荷 35.0 nC
漏源极电压Vds 80 V
漏源击穿电压 80.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 7.70 A
上升时间 8.00 ns
输入电容Ciss 1760pF @40VVds
耗散功率Max 3.8W Ta, 42W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-251-3
外形尺寸
封装 TO-251-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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