N沟道MOSFET PowerTrench㈢ ？ N-Channel PowerTrench㈢ MOSFET
N-Channel 30V 23A Ta, 160A Tc 160W Tc Surface Mount TO-263AB
得捷:
MOSFET N-CH 30V 23A/160A TO263AB
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 23A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FDB8870 MOSFET Transistor, N Channel, 35 A, 30 V, 3.9 mohm, 10 V, 2.5 V
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 23A TO-263AB
额定电压DC 30.0 V
额定电流 160 A
漏源极电阻 0.0039 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 35.0 A
上升时间 98 ns
输入电容Ciss 5200pF @15VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 47 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
高度 4.83 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDB8870 Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
FDB8870_F085 飞兆/仙童 | 类似代替 | FDB8870和FDB8870_F085的区别 |
STB80NF03L-04T4 意法半导体 | 功能相似 | FDB8870和STB80NF03L-04T4的区别 |
STB95N3LLH6 意法半导体 | 功能相似 | FDB8870和STB95N3LLH6的区别 |