FDMS86320

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FDMS86320概述

PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

N-Channel 80 V 10.5A Ta, 22A Tc 2.5W Ta, 69W Tc Surface Mount 8-PQFN 5x6


得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1


欧时:
### PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-Pin Power 56 T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-Pin Power 56 T/R


富昌:
N-Channel 80 V 11.7 mΩ 41 nC SMT PowerTrench® Mosfet - POWER 56


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-Pin Power 56 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-Pin Power 56 T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 80V 10.5A 8-PQFN


FDMS86320中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

极性 N-CH

耗散功率 2.5 W

漏源极电压Vds 80 V

连续漏极电流Ids 10.5A

输入电容Ciss 2640pF @40VVds

额定功率Max 2.5 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta, 69W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 Power-56-8

外形尺寸

长度 5 mm

宽度 6 mm

高度 1.05 mm

封装 Power-56-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买FDMS86320
型号: FDMS86320
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:PowerTrench® N 通道 MOSFET,20A 至 59.9A,Fairchild Semiconductor ### MOSFET 晶体管,Fairchild Semiconductor Fairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。

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