QFET® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
P-Channel 250 V 10.5A Tc 150W Tc Through Hole TO-3P
欧时:
### QFET® P 通道 MOSFET,Fairchild SemiconductorFairchild Semiconductor 的新型 QFET® 平面 MOSFET 使用先进的专利技术为广泛的应用提供最佳的工作性能,包括电源、PFC(功率因数校正)、直流-直流转换器、等离子显示面板 PDP、照明镇流器和运动控制。 它们通过降低导通电阻 RDSon 来减少通态损耗,并通过降低栅极电荷 Qg 和输出电容 Coss 来减少切换损耗。 通过使用先进的 QFET® 工艺技术,Fairchild 可提供比竞争平面 MOSFET 设备更高的品质因素 FOM。### MOSFET 晶体管,Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合,包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性,以减少结电容和反向恢复电荷,无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
得捷:
POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, 1
贸泽:
MOSFET 250V P-Channel QFET
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 250V 10.5A 3-Pin3+Tab TO-3PN Tube
富昌:
FQA9P25 系列 250 V 620 mOhm 通孔 P沟道 Mosfet - TO-3PN
Chip1Stop:
Trans MOSFET P-CH 250V 10.5A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
Verical:
Trans MOSFET P-CH 250V 10.5A 3-Pin3+Tab TO-3PN Rail
DeviceMart:
MOSFET P-CH 250V 10.5A TO-3P
Win Source:
MOSFET P-CH 250V 10.5A TO-3P
额定电压DC -250 V
额定电流 -10.5 A
漏源极电阻 620 mΩ
极性 P-Channel
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 250 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 10.5 A
上升时间 150 ns
输入电容Ciss 1180pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-3-3
长度 15.8 mm
宽度 5 mm
高度 20.1 mm
封装 TO-3-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99