FDS3512

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FDS3512中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 80.0 V

额定电流 4.00 A

漏源极电阻 70.0 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

输入电容 634 pF

栅电荷 13.0 nC

漏源极电压Vds 80 V

漏源击穿电压 80.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 634pF @40VVds

额定功率Max 1 W

下降时间 4 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买FDS3512
型号: FDS3512
制造商: Fairchild 飞兆/仙童
描述:80V N沟道PowerTrench MOSFET的 80V N-Channel PowerTrench MOSFET
替代型号FDS3512
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

FDS3512

Fairchild 飞兆/仙童

当前型号

当前型号

STS4NF100

意法半导体

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FDS3512和STS4NF100的区别

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