PowerTrench® SyncFET™ MOSFET，Fairchild Semiconductor设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能 高性能通道技术，RDS（接通）极低 SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管 应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关 ### MOSFET 晶体管，Fairchild SemiconductorFairchild 提供大量 MOSFET 设备组合，包括高电压 >250V 低电压 Fairchild MOSFET 通过降低电压峰值和过冲提供极佳的设计可靠性，以减少结电容和反向恢复电荷，无需额外外部元件即可保持系统启动和运行更长时间。
PowerTrench® SyncFET™ MOSFET， Semiconductor
设计用于尽量减少功率转换的损耗，同时保持极佳的切换性能
高性能通道技术，RDS（接通）极低
SyncFET™ 得益于高效的肖特基主体二极管
应用：同步整流直流-直流转换器、电动机驱动器、网络负载点低侧开关
欧时:
Fairchild Semiconductor N沟道 MOSFET 晶体管 FDMS8027S, 70 A, Vds=30 V, 8引脚 Power 56封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin Power 56 T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin Power 56 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 18A 8-Pin Power 56 T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V POWER56
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V POWER56
漏源极电阻 0.0042 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 36 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 18A
上升时间 2.3 ns
输入电容Ciss 1815pF @15VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 6 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 36 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 Power-56
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 1.05 mm
封装 Power-56
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
FDMS8027S Fairchild 飞兆/仙童 | 当前型号 | 当前型号 |
BSC050N03LSGATMA1 英飞凌 | 功能相似 | FDMS8027S和BSC050N03LSGATMA1的区别 |
BSC0906NSATMA1 英飞凌 | 功能相似 | FDMS8027S和BSC0906NSATMA1的区别 |